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參數(shù)資料
| 型號： | HM5425161BTT-10 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 17/65頁 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | HM5425161BTT-10 |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
17
Function Truth Table (3)
Current state
Read with auto-
pre-charge*
8
CS
RAS CAS WE
Address
Command
Operation
Next state
H
×
×
×
×
DESL
NOP
Precharging
L
H
H
H
×
×
NOP
NOP
Precharging
L
H
H
L
BST
ILLEGAL*
15
—
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL*
15
—
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL*
15
—
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
12, 15
—
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
12, 15
—
L
L
L
×
×
×
×
ILLEGAL
—
Write*
9
H
×
×
DESL
NOP
Write
recovering
L
H
H
H
×
NOP
NOP
Write
recovering
L
L
H
H
H
L
L
H
×
BA, CA, A10
BST
READ/READA
ILLEGAL
Interrupting burst
write operation to
start read operation.
Interrupting burst
write operation to
start new write
operation.
ILLEGAL*
12
—
Read/ReadA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Write/WriteA
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
—
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Interrupting write
operation to start
pre-charge.
Idle
L
L
L
×
×
×
×
ILLEGAL
—
Write
recovering*
10
H
×
×
DESL
NOP
Active
L
H
H
H
×
×
NOP
NOP
Active
L
H
H
L
BST
ILLEGAL
—
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Starting read
operation.
Starting new write
operation.
ILLEGAL*
12
Read/ReadA
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Write/WriteA
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
—
L
L
H
L
BA, A10
PRE/PALL
ILLEGAL*
12
—
L
L
L
×
×
ILLEGAL
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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