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參數(shù)資料
| 型號： | HM5425161BTT-10 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 34/65頁 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | HM5425161BTT-10 |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
34
A Read command to the consecutive Write command interval with the BST command
Destination row of the
consecutive write command
Bank
address
Row
address
State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
Issue the BST command. t
(
≥
t
) after the BST command, the
consecutive write command can be issued.
2. Same
Different
—
Precharge the bank to interrupt the preceding read operation. t
after
the precharge command, issue the ACTV command. t
after the
ACTV command, the consecutive write command can be issued. See
‘
A read command to the consecutive precharge interval
’
section.
3. Different
Any
ACTIVE
Issue the BST command. t
(
≥
t
) after the BST command, the
consecutive write command can be issued.
IDLE
Precharge the bank independently of the preceding read operation.
t
after the precharge command, issue the ACTV command. t
after
the ACTV command, the consecutive write command can be issued.
READ to WRITE Command Interval
Q0
Q1
D0
D1
D2
D3
CLK
CLK
DM,
DMU/DML
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
Burst Length = 4
CAS
Latency= 2
DQS,
DQSU/DQSL
OUTPUT
INPUT
t
BSTW (
≥
t
BSTZ)
High-Z
READ
WRIT
BST
NOP
NOP
t
BSTZ (= CL)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425801BTT-10 | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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