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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425161BTT-10 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425161BTT-10 |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
19
Read with Auto-Precharge Enabled, Write with Auto-Precharge Enabled
The Elpida HM5425401/801/161B series support the concurrent auto precharge feature, a read with auto-
precharge enabled, or a write with auto-precharge enabled, may be followed by any command to the other
banks, as long as that command does not interrupt the read or write data transfer, and all other related
limitations apply (e.g. contention between READ data and WRITE data must be avoided.)
The minimum delay from a read or write command with auto precharge enabled, to a command to a
different bank, is summarized below.
To command (different bank, non-
interrupting command)
From command
Minimum delay
(Concurrent AP supported)
Units
Read w/AP
Read or Read w/AP
BL/2
tCK
Write or Write w/AP
CL(rounded up)+ (BL/2)
tCK
Precharge or Activate
1
tCK
Write w/AP
Read or Read w/AP
1 + (BL/2) + tWTR
tCK
Write or Write w/AP
BL/2
tCK
Precharge or Activate
1
tCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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