參數(shù)資料
型號: HM5425161BTT-10
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述: 16M X 16 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 38/65頁
文件大小: 489K
代理商: HM5425161BTT-10
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
38
A Read command to the consecutive Precharge command interval (same bank):
To output all data:
To complete a burst read opeartion and get a burst length of data, the consecutive
precharge command must be issued t
RPD
(= BL/ 2 cycles) after the read command is issued.
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To output all data
CAS
Latency = 2, Burst Length = 4
A0
A1
A2
A3
CLK
CLK
Dout
DQS,
DQSU/DQSL
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t
RPD
= BL/2
READ
NOP
NOP
NOP
PRE/
PALL
CAS
Latency = 2.5, Burst Length = 4
A0
A1
A2
A3
CLK
CLK
Dout
DQS,
DQSU/DQSL
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t
RPD
= BL/2
READ
NOP
NOP
NOP
PRE/
PALL
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PDF描述
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