參數(shù)資料
型號: HM5425161BTT-10
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述: 16M X 16 DDR DRAM, 0.8 ns, PDSO66
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 47/65頁
文件大?。?/td> 489K
代理商: HM5425161BTT-10
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
47
DC Characteristics 2
*
1
(Ta = 0 to +70
C, V
CC
, V
CCQ
= 2.5 V ± 0.2 V, V
SS
, V
SSQ
= 0 V)
Max
Parameter
Symbol
I/O
-75A
-75B
-10
Unit
Operating current (ACTV-
PRE)
I
CC0
100
95
80
mA
Operating current (ACTV-
READ-PRE)
I
CC1
155
145
130
mA
Idle power down standby
current
I
CC2P
18
15
12
mA
Idle standby current
I
CC2N
I
CC3P
40
35
30
mA
Active power down
standby current
25
20
15
mA
Active standby current
I
CC3N
I
CC4R
50
45
40
mA
Operating current
(Burst read operation)
×
4,
×
8
×
16
×
4,
×
8
×
16
225
255
215
245
205
235
mA
Operating current
(Burst write operation)
I
CC4W
205
240
195
230
185
220
mA
Auto Refresh current
I
CC5
I
CC6
I
CC7A
205
200
180
mA
Self refresh current
3
3
3
mA
Random read current
×
4,
×
8
×
16
330
360
320
350
310
340
mA
Notes: 1. These I
CC
data are measured under condition that DQ pins are not connected.
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PDF描述
HM5425801BTT-10 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
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