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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425801B |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 256M SSTL_2 DDR SDRAM的接口143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz的4 Mword】16位】4-bank/8-Mword】8位】4銀行/ 16 Mword】4位】4 -銀行 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)當(dāng)前第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
18
Function Truth Table (4)
Current state
Write with auto-
pre-charge*
11
CS
RAS CAS WE
Address
Command
Operation
Next state
H
×
×
×
×
DESL
NOP
Precharging
L
H
H
H
×
×
NOP
NOP
Precharging
L
H
H
L
BST
ILLEGAL
—
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL*
15
—
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRIT A
ILLEGAL*
15
—
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
12, 15
—
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL*
12, 15
—
L
L
L
×
×
ILLEGAL
—
Notes: 1. H: V
IH
. L: V
IL
.
×
: V
IH
or V
IL
.
2. The DDR SDRAM is in "Precharging" state for t
RP
after precharge command is issued.
3. The DDR SDRAM reachs "IDLE" state t
RP
after precharge command is issued.
4. The DDR SDRAM is in "Refresh" state for t
RC
after auto-refresh command is issued.
5. The DDR SDRAM is in "Activating" state for t
RCD
after ACTV command is issued.
6. The DDR SDRAM is in "Active" state after "Activating" is completed.
7. The DDR SDRAM is in "READ" state until burst data have been output and DQ output circuits are
turned off.
8. The DDR SDRAM is in "READ with auto-precharge" from READA command until burst data has
been output and DQ output circuits are turned off.
9. The DDR SDRAM is in "WRITE" state from WRIT command to the last burst data are input.
10.The DDR SDRAM is in "Write recovering" for t
WR
after the last data are input.
11.The DDR SDRAM is in "Write with auto-precharge" until t
WR
after the last data has been input.
12.This command may be issued for other banks, depending on the state of the banks.
13.All banks must be in "IDLE".
14.Before executing a write command to stop the preceding burst read operation, BST command must
be issued.
15.See
‘
Read with Auto-Precharge Enabled, Write with Auto-Precharge Enable
’
section.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
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