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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425801B |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 256M SSTL_2 DDR SDRAM的接口143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz的4 Mword】16位】4-bank/8-Mword】8位】4銀行/ 16 Mword】4位】4 -銀行 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
39
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To stop output data
A burst data output can be interrupted with a precharge command. All DQ pins and DQS pins become High-
Z t
HZP
(= CL) after the precharge command.
CAS
Latency = 2, Burst Length = 2, 4, 8
A0
A1
CLK
CLK
Dout
DQS,
DQSU/DQSL
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
PRE/PALL
t
HZP
= CL + 1
READ
NOP
NOP
High-Z
High-Z
CAS
Latency = 2.5, Burst Length = 2, 4, 8
A0
A1
CLK
CLK
Dout
DQS,
DQSU/DQSL
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
High-Z
High-Z
t
HZP
= CL + 1
CL = 2.5
READ
NOP
NOP
PRE/PALL
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