參數(shù)資料
型號(hào)： HM5425801B
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述： 256M SSTL_2 DDR SDRAM的接口143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz的4 Mword】16位】4-bank/8-Mword】8位】4銀行/ 16 Mword】4位】4 -銀行
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代理商： HM5425801B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
45
Data Driver Output Characteristic Curves
1. The full variation in driver pulldown current from minimum to maximum temperature and voltage will lie
within the outer bounding lines of the V-I curve of the figure
“
Pull-down Characteristics
”
.
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2 0.4 0.6
0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
2.2 2.4 2.6 2.8
VOUT to VSSQ (V)
P
Minimum
Typical High
Typical Low
Maximum
Pull-down Characteristics
2. The full variation in driver pullup current from minimum to maximum temperature and voltage will lie
within the outer bounding lines of the V-I curve of the figure
“
Pull-up Characteristics
”
.
-200
-175
-150
-125
-100
-75
-50
-25
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
2.2 2.4 2.6 2.8
VDDQ to VOUT (V)
P
Minimum
Typical High
Typical Low
Maximum
Pull-up Characteristics
5. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pullup and pulldown current will not exceed
1.7 for device drain to source voltages from 0.1 to 1.0.
6. The full variation in the ratio of the typical IBIS pullup to typical IBIS pulldown current should be unity
±
10%, for device drain to source voltages from 0.1 to 1.0. This specification is a design objective only.
7. These characteristics obey the SSTL_2 class II standard.
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PDF描述
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