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參數(shù)資料
| 型號： | HM5425801BTT-75B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 11/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-75B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
11
Pin Functions (2)
DM, DMU/DML (input pins):
DM (the HM5425801B and the HM5425401B), DMU/DML (the
HM5425161B) are the reference signals of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point
of DQS and V
REF
. DMU/DML provide the byte mask function. When DMU/DML = High, the data input at
the same timing are masked while the internal burst counter will be count up. DML controls the lower byte
(DQ0 to DQ7) and DMU controls the upper byte (DQ8 to DQ15) of write data.
DQ0 to DQ15 (input and output pins):
Data are input to and output from these pins (the DQ0 to the DQ15;
the HM5425161B, the DQ0 to the DQ7; the HM5425801B, the DQ0 to the DQ3; the HM5425401B).
DQS, DQSU/DQSL (input and output pin):
DQS (the HM5425801B and the HM5425401B),
DQSU/DQSL (the HM5425161B) provide the read data strobes (as output) and the write data strobes (as
input). DQSL is the lower byte (DQ0 to DQ7) data strobe signal, DQSU is the upper byte (DQ8 to DQ15)
data strobe signal.
V
CC
and V
CCQ
(power supply pins):
2.5 V is applied. (V
CC
is for the internal circuit and V
CCQ
is for the
output buffer.)
V
SS
and V
SSQ
(power supply pins):
Ground is connected. (V
SS
is for the internal circuit and V
SSQ
is for the
output buffer.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-75B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425401B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
| HM5444R42VLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
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