- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370623 > HM5425801BTT-75B (ELPIDA MEMORY INC) 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425801BTT-75B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 54/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-75B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
54
Timing Parameter Measured in Clock Cycle
Number of clock cycle
Parameter
Symbol
Min
Max
Write to pre-charge command delay (same bank)
t
WPD
t
RPD
t
WRD
t
BSTW
3 + BL/2
Read to pre-charge command delay (same bank)
BL/2
Write to read command delay (to input all data)
2 + BL/2
Burst stop command to write command delay
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 2.5)
2
t
BSTW
t
BSTZ
3
Burst stop command to DQ High-Z
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 2.5)
2
t
BSTZ
t
RWD
2.5
Read command to write command delay (to output all data)
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 2.5)
2 + BL/2
t
RWD
t
HZP
3 + BL/2
Pre-charge command to High-Z
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 2.5)
2
t
HZP
t
WCD
t
DAL
t
WR
t
DMD
t
MRD
t
SNR
t
SRD
t
PDEN
t
PDEX
t
CKEPW
2.5
Write command to data in latency
1
Auto precharge write recovery and precharge time
5
Write recovery
2
DM to data in latency
0
Register set command to active or register set command
2
Self refresh exit to non-read command
10
Self refresh exit to read command
200
Power down entry
1
Power down exit to command input
1
CKE minimum pulse width
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-75B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425401B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:7.9MHz |
| HM5444R42VLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
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