- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370623 > HM5425801BTT-75B (ELPIDA MEMORY INC) 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5425801BTT-75B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 48/65頁 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-75B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當(dāng)前第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
48
ICC Measurement Condition
Parameter
Symbol
Condition
Operating current
(ACTV-PRE)
I
CC0
One Bank ; CKE
≥
V
(min), t
= t
(min); t
= t
(min);
DQ, DM and DQS inputs changing twice per clock cycle; address
and control inputs changing once per clock cycle
Operating current
(ACTV-READ-PRE)
I
CC1
One Bank; CKE
≥
V
(min); Burst = 2; t
= t
(min); CL = 2.5; t
= t
(min); Iout = 0 mA; address and control inputs changing once
per clock cycle
Idle power down standby
current
I
CC2P
All banks idle; power down mode; CKE
≤
V
IL
(max); t
CK
= t
CK
(min).
Vin = V
REF
for DQ, DQS and DM
All banks idle;
CS
≥
V
(min); CKE
≥
V
(min); t
= t
(min);
Address and other control inputs changing once per clock cycle.
Vin
≥
V
IH
(min) or Vin
≤
V
IL
(max) for DQ, DQS and DM.
One bank active; power down mode; CKE
≤
V
IL
(max); t
CK
= t
CK
(min)
One bank; Active Precharge;
CS
≥
V
(min); CKE
≥
V
(min); t
=
t
(max); t
= t
(min); DQ,DM and DQS inputs changing twice
per clock cycle; address and other control inputs changing once
per clock cycle
Idle standby current
I
CC2N
Active power down standby
current
I
CC3P
Active standby current
I
CC3N
Operating current
(Burst read operation)
I
CC4R
One bank active ; CKE
≥
V
(min); Burst = 2; Reads; Continuous
burst; address and control inputs changing once per clock cycle;
CL = 2.5; t
CK
= t
CK
(min); Iout = 0 mA;
One bank active; CKE
≥
V
(min); Burst = 2; Writes; Continuous
burst; address and control inputs changing once per clock cycle;
CL = 2.5; t
= t
CK
(min); DQ, DM and DQS inputs changing twice
per clock cycle
Operating current
(Burst write operation)
I
CC4W
Auto refresh current
I
CC5
I
CC6
I
CC7A
t
RC
= t
RFC
(min); Vin
≤
V
IL
(max) or
≥
V
IH
(min)
CKE
≤
0.2 V, Vin
≤
0.2V or
≥
V
CCQ
–
0.2V
4 banks active read with activate every 2 clocks, AP (Auto
Precharge) read every 2 clocks, BL = 4, t
=3, Iout = 0 mA,
100% DQ, DM and DQS inputs changing twice per clock cycle;
100% addresses changing once per clock cycle.
Self refresh current
Random read current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-75B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425401B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
| HM5444R42VLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42VLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
| HM54-45R41HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。