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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5425801BTT-75B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-75B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
15
Function Truth Table
The following tables show the operations that are performed when each command is issued in each state of
the DDR SDRAM.
Function Truth Table (1)
Current state
CS
RAS CAS WE
Address
Command
Operation
Next state
Precharging*
2
H
×
×
×
×
×
×
DESL
NOP
ldle
L
H
H
H
NOP
NOP
ldle
L
H
H
L
BST
ILLEGAL*
12
—
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL*
12
—
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL*
12
—
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
ILLEGAL*
12
—
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
NOP
ldle
L
L
L
×
×
×
×
×
×
ILLEGAL
—
Idle*
3
H
×
×
DESL
NOP
ldle
L
H
H
H
NOP
NOP
ldle
L
H
H
L
BST
ILLEGAL*
12
—
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL*
12
—
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL*
12
—
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Activating
Active
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
NOP
ldle
L
L
L
H
×
REF, SELF
Refresh/
Selfrefresh*
13
ldle/
Selfrefresh
L
L
L
L
MODE
MRS
Mode register set*
13
ldle
Refresh
(auto-refresh)*
4
H
×
×
×
×
DESL
NOP
ldle
L
H
H
H
×
×
×
×
NOP
NOP
ldle
H
H
H
L
BST
ILLEGAL
—
L
H
L
×
×
ILLEGAL
—
L
L
×
ILLEGAL
—
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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