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參數(shù)資料
| 型號： | HM5425801BTT-75B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 36/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | HM5425801BTT-75B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
36
A Write command to the consecutive Read command interval: To interrupt the write operation
Destination row of the
consecutive read command
Bank
address
Row
address
State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
DM, DMU/DML must be input 1 cycle prior to the read command input
to prevent from being written invalid data. In case, the read command
is input in the next cycle of the write command, DM, DMU/DML is not
necessary.
2. Same
Different
—
—
*
1
3. Different
Any
ACTIVE
DM, DMU/DML must be input 1 cycle prior to the read command input
to prevent from being written invalid data. In case, the read command
is input in the next cycle of the write command, DM, DMU/DML is not
necessary.
IDLE
—
*
1
Note:
1. Precharge must be preceded to read command. Therefore read command can not interrupt the
write operation in this case.
WRITE to READ Command Interval
(Samebank, same ROW address)
[WRITE to READ delay = 1 clock cycle]
D0
D1
D2
Q0
Q1
Q2
Q3
CLK
CLK
DM,
DMU/DML
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL= 2
DQS,
DQSU/DQSL
CL=2
Data masked
1 cycle
READ
NOP
WRIT
High-Z
High-Z
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425401BTT-75B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425401B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5444R42HLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
| HM5444R42VLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:High Current Toroidal Inductors |
| HM54-44R42VLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
| HM54-45R41HLF | 功能描述:HIGH CURRENT TOROIDAL INDUCTORS RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM54 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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