參數(shù)資料
型號： HY27USxxx
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存
文件頁數(shù)： 34/43頁
文件大小： 729K
代理商： HY27USXXX
Rev 0.6 / Oct. 2004
34
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Note: 1. A0-A7 is the address in the Spare Memory area, where A0-A3 are valid and A4-A7 are don't care.
2. Only address cycle 4 is required.
Figure 28. Read C Operation, One Page AC Waveform
I/O
WE
CE
CLE
ALE
RE
RB
Add. M
cycle 1
50h
Data M
Add. M
cycle 2
Add. M
cycle 3
Add. M
cycle 4
Data
Last
tWHBH
tWHALL
tBHRL
tALLRL2
Command
Code
Address M Input
Busy
Data Output from M to
Last Byte or Word in Area C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY29F002TC-70 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-45 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-55 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002T 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29DL162 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M
HY29DL162BF-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-12I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-70 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-70I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
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