參數(shù)資料
型號(hào)： HY27USxxx
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 42/43頁(yè)
文件大?。?/td> 729K
代理商： HY27USXXX
Rev 0.6 / Oct. 2004
42
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 17: 48-WSOP1 - 48-lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
Typ
1.10
0.26
0.84
0.45
8.50
4.00
7.20
15.00
5.60
8.80
0.80
2.25
0.65
4.70
3.10
0.40
0.40
Min
1.00
0.21
0.79
0.40
8.40
Max
1.20
0.31
0.89
0.50
8.60
A
A1
A2
b
D
D1
D2
E
E1
E2
e
FD
FD1
FE
FE1
SD
SE
14.90
15.10
Figure 39. 63-FBGA - 8.5 x 15mm, 6x8 ball array 0.8mm pitch, Pakage Outline
Note: Drawing is not to scale.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY29F002TC-70 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-45 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-55 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002T 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29DL162 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M
HY29DL162BF-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-12I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-70 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-70I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
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