參數(shù)資料
型號： HY27USxxx
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存
文件頁數(shù)： 39/43頁
文件大?。?/td> 729K
代理商： HY27USXXX
Rev 0.6 / Oct. 2004
39
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Figure 36. Resistor Value Waveform Timings for Ready/Busy Signal
400
300
200
100
0
1
2
3
4
1.7
1
2
3
4
1.7
1.7
1.7
1.7
30
60
90
0.57
120
0.85
0.43
Vcc=1.8, CL=30pF
Rp(K
)
t
i
400
300
200
100
0
1
2
3
4
3.6
1
2
3
4
3.6
3.6
2.4
3.6
100
1.2
0.8
400
200
300
0.6
Vcc=3.3, CL=100pF
Rp(K
)
t
i
tf
ibusy
tr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27US16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY29F002TC-70 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-45 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002TC-55 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F002T 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29DL162 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M
HY29DL162BF-12 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-12I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-70 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
HY29DL162BF-70I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
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