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參數(shù)資料
| 型號： | HY27USxxx |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 6/43頁 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | HY27USXXX |
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Rev 0.6 / Oct. 2004
6
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Figure 5. 63-FBGA Contactions, x8 Device (Top view through package)
Figure 6. 63-FBGA Contactions, x16 Device (Top view through package)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002T | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29DL162 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M |
| HY29DL162BF-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-70 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
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