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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T256160AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/90頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256160AF-3 |
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Page 10 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
1.6 Block Diagrams
Block Diagram 16Mbit x 4 I/O x 4 Internal Memory Banks,
(64 Mbit x 4 Organisation with 13 Row, 2 Bank and 11 Column External Addresses)
R
2
DQS
DQS
CK, CK
DLL
RAS
AP
CAS
CK
CS
WE
CK
C
Column-Address
Counter/Latch
Mode
Registers
11
C
D
A0-A12,
BA0, BA1
CKE
15
15
I/O Gating
DM Mask Logic
Bank0
Memory
Array
(8192 x 512 x 16)
Sense Amplifiers
Bank1Bank2
Bank3
15
9
2
2
2
R
4
4
4
4
4
Input
Register
1
1
1
1
1
16
16
4
16
Data
Mask
Data
CK,
CK
COL0,1
COL0,1
COL0,1
M
GDQS
1
1
4
16
DQ0-DQ3,
DM
DQS
DQS
R
Write
FIFO
&
Drivers
Column
Decoder
512
(x16)
R
1
8
B
R
&
8192
A
D
B
1
1
4
4
4
4
4
4
4
4
15
Note:
This Functional Block Diagram is intended to facilitate user understanding of the operation of
the device; it does not represent an actual circuit implementation.
Note:
DM is a unidirectional signal (input only), but is internally loaded to match the load of the bidi-
rectional DQ and DQS signals.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256160AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AL-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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