- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370781 > HYB18T256160AF-3 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 256 Mbi t DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T256160AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 4/90頁 |
| 文件大小： | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256160AF-3 |
第1頁第2頁第3頁當(dāng)前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁
Page 4 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
1.1 Ordering Information
1.2 Pin Description
1.2.1 x4 Components
Symbol
Part Number
CAS
Latency
Clock
(MHz)
Speed
Sort
DRAM Organisation
Package
HYB18T256400AF(L)-5
3, 4 & 5
200
DDR2-400
4 banks x 16 Mbits x 4
60 pin FBGA
HYB18T256800AF(L)-5
4 banks x 8 Mbits x 8
60 pin FBGA
HYB18T256160AF(L)-5
4 banks x 4 Mbits x 16
84 pin FBGA
HYB18T256400AF(L)-3.7
4 & 5
266
DDR2-533
4 banks x 16 Mbits x 4
60 pin FBGA
HYB18T256800AF(L)-3.7
4 banks x 8 Mbits x 8
60 pin FBGA
HYB18T256160AF(L)-3.7
4 banks x 4 Mbits x 16
84 pin FBGA
HYB18T256400AF(L)-3
4 & 5
333
DDR2-667
4 banks x 16 Mbits x 4
60 pin FBGA
HYB18T256800AF(L)-3
4 banks x 8 Mbits x 8
60 pin FBGA
HYB18T256160AF(L)-3
4 banks x 4 Mbits x 16
84 pin FBGA
HYB18T256400AF(L)-3S
5
4 banks x 16 Mbits x 4
60 pin FBGA
HYB18T256800AF(L)-3S
4 banks x 8 Mbits x 8
60 pin FBGA
HYB18T256160A(L)-3S
4 banks x 4 Mbits x 16
84 pin FBGA
Notes:
1) For product nomenclature see section 10 of this datasheet
2) Versions with an “L” in the part numbers are Low Power versions of the standard component with reduced IDD6 Self-Refresh
current. See section 6.1 for IDD current specifications.
3) All FBGA packages are lead-free.
Function
Symbol
Function
A0~A12
Row Address Inputs
DQS, DQS
Differential Data Strobes
A0~A9,A11
Column Address Inputs
NC
No Connection (Chip to Pin)
BA0, BA1
Bank Address Inputs
Column Address Input
for Auto-Precharge
Chip Select
VDD
Supply Voltage
A10/AP
VSS
Ground
CS
VDDQ
Supply Voltage for DQ
RAS
Row Address Strobe
VSSQ
Ground for DQs
CAS
Column Address Strobe
VDDL
Supply Voltage for DLL
WE
Write Enable
VSSDL
Ground for DLL
Reference Voltage for SSTL
Inputs
On Die Termination Enable
DQ0~DQ3
Data Inputs/Outputs (x4)
VREF
CKE
Clock Enable
ODT
CK, CK
Differential Clock Inputs
RFU
Reserved for future use
DM
Data Input Mask
NC
Not Connected
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256160AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AL-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。