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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256160AF-3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 66/90頁 |
| 文件大小： | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256160AF-3 |
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Page 66 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
5.2.3 Differential DC and AC Input and Output Logic Levels
Symbol
Parameter
min.
max.
Units
Notes
VIN(dc)
DC input signal voltage
-0.3
VDDQ + 0.3
1
VID(dc)
DC differential input voltage
0.25
VDDQ + 0.6
2
VID(ac)
AC differential input voltage
0.5
VDDQ + 0.6
V
3
VIX(ac)
AC differential cross point input voltage
0.5 * VDDQ - 0.175
0.5 * VDDQ + 0.175
V
4
VOX(ac)
AC differential cross point output voltage
0.5 * VDDQ - 0.125
0.5 * VDDQ + 0.125
V
5
notes:
1) VIN(dc) specifies the allowable DC execution of each input of differential pair such as CK, CK, DQS, DQS etc.
2) VID(dc) specifies the input differential voltage VTR - VCP required for switching. The minimum value is equal to VIH(dc) - VIL(dc).
3) VID(ac) specifies the input differential voltage VTR - VCP required for switching. The minimum value is equal to VIH(ac) - VIL(ac).
4) The value of VIX(ac) is expected to equal 0.5 x VDDQ of the transmitting device and VIX(ac) is expected to track variations in VDDQ.
VIX(ac) indicates the voltage at which differential input signals must cross.
5) The value of VOX(ac) is expected to equal 0.5 x VDDQ of the transmitting device and VOX(ac) is expected to track variations in
VDDQ. VOX(ac) indicates the voltage at which differential input signals must cross.
Crossing Point
VDDQ
VSSQ
VID
VIX or VOX
VTR
VCP
SSTL18_3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256160AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256160AL-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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