參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S16800CT-8
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 16 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50
文件頁(yè)數(shù)： 2/19頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： HYB39S16800CT-8
HYB 39S16400/800/160CT-8/-10
16 MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
2
1998-10-01
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Description
LVTTL-Version
HYB 39S16400CT-8
on request
P-TSOPII-44-1 400 mil
125 MHz 2B
×
2 M
×
4 SDRAM, PC100 2-2-2
100 MHz 2B
×
2 M
×
4 SDRAM, PC66 2-2-2
125 MHz 2B
×
1 M
×
8 SDRAM, PC100 2-2-2
100 MHz 2B
×
1 M
×
8 SDRAM, PC66 2-2-2
125 MHz 2B
×
512k
×
16 SDRAM
100 MHz 2B
×
512k
×
1 SDRAM
HYB 39S16400CT-10
on request
P-TSOPII-44-1 400 mil
HYB 39S16800CT-8
on request
P-TSOPII-44-1 400 mil
HYB 39S16800CT-10
on request
P-TSOPII-44-1 400 mil
HYB 39S16160CT-8
on request
P-TSOPII-50 400 mil
HYB 39S16160CT-10
on request
P-TSOPII-50 400 mil
Pin Names
CLK
Clock Input
DQ
Data Input /Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM,
UDQM
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
NC
Data Mask
CS
Chip Select
Power (+ 3.3 V)
RAS
Row Address Strobe
Ground
CAS
Column Address Strobe
Power for DQ’s (+ 3.3 V)
WE
Write Enable
Ground for DQ’s
A0 - A10
Address Inputs
Not connected
A11 (BS)
Bank Select
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PDF描述
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HYB39S16400CT-10 16 MBit Synchronous DRAM
HYB39S16800CT-10 16 MBit Synchronous DRAM
HYB39S256160T 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)
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