參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S16800CT-8
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 16 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50
文件頁數(shù)： 7/19頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： HYB39S16800CT-8
HYB 39S16400/800/160CT-8/-10
16 MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
7
1998-10-01
Block Diagram for HYB 39S16160CT (2 banks
×
512k
×
16 SDRAM)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11 (BS)
A
CLK Buffer
CLK
Row
Address
Counter
CS Buffer
RAS Buffer
CAS Buffer
WE Buffer
DQM Buffer
DQM Buffer
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
C
Self
Refresh Clock
CKE Buffer
CKE
2048 x 256
Memory Bank A
and DQ Gate
Sense Amplifiers
Row/Column
Select
Bank A
Predecode A
Sequential
Control
Bank A
Mode Register
Control
Bank B
Predecode B
Sequential
Row/Column
Select
Bank B
Row Decoder
Data Latches
Data Latches
and DQ Gate
Row Decoder
Memory Bank B
2048 x 256
Sense Amplifiers
D
2048
16
256
8
16
12
8
8
16
12
11
11
11
3
3
16
16
16
256
8
2048
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
16
Column Decoder
Column Decoder
SPB02837
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB39S16400BT-10 JOYSTICK, POTENTIOMETER, 3 AXIS; Angle:20(degree); Centres, fixing:32.2mm; Depth, external:41.5mm; Diameter, panel cut-out:39mm; Length / Height, external:73mm; Material:ABS; Operations, mechanical No. of:1000000; Power, DC:0.125W; RoHS Compliant: Yes
HYB39S16400CT-10 16 MBit Synchronous DRAM
HYB39S16800CT-10 16 MBit Synchronous DRAM
HYB39S256160T 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB39S256800 256 MBit Synchronous DRAM(256M位同步動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB39S16800T-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S16800T-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM
HYB39S1G160TC-3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM
HYB39S1G160TC-37 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM
HYB39S1G160TC-5 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:MEMORY SPECTRUM
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