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參數(shù)資料
| 型號： | IDT82V2616BBG |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 81/99頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC INVERSE MUX 16CH ATM 272-PBGA |
| 標準包裝： | 1 |
| 應(yīng)用： | 無線 |
| 接口： | Utopia |
| 電源電壓： | 2.97 V ~ 3.63 V |
| 封裝/外殼： | 260-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 260-PBGA（19x19） |
| 包裝： | 托盤 |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 其它名稱： | 82V2616BBG |
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PHYSICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
82
December 4, 2006
IDT82V2616
Inverse Multiplexing for ATM
10 PHYSICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10.1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
10.2 D.C. CHARACTERISTICS
@ TA= -40 to +85°C.
Table-60 Absolute Maximum Ratings
Parameter
Min
Max
Storage temperature
-65 °C
+150 °C
Voltage on VDD with reference to GND
-0.3 V
4.6 V
Voltage on input pin
-0.3 V
5.25 V
Voltage on output pin
-0.3 V
VDD+0.3 V
Maximum lead temperature for soldering during 10 s
230 °C
ESD Performance (HBM)
2000 V
Latch-up current on any pin
100 mA
Maximum junction temperature
150 °C
Table-61 D.C. Characteristics
Parameter
Description
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
VDD
Core Power Supply
2.97
3.3
3.63
V
VOL
Output Low Voltage
0.40
V
VDD=min, IOL=4 mA or 6 mA(1)
1. The output driving capacity of all the embedded memory output pins are 4mA while the output driving capacity of all the other output pins are 6mA.
VOH
Output High Voltage
2.4
V
VDD=min, IOH= 4 mA or 6 mA
VT+
Input High Voltage(2)
2. All the input pins are schmitt-trigger pins.
2.0
V
VT-
Input Low Voltage
0.83
V
VTH
Input Hysteresis Voltage
0.17
0.65
1.17
V
IILPU
Input Low Current
-20
-55
-200
uA
VIL=GND
IIL
Input Low Current
-1
0
+1
uA
VIL=GND
IIH
Input High Current
-2
0
+2
uA
VIH=+5 V
IDDOP1
Operating current
160
mA
VDD=3.63 V, SYSClk=25 MHz
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