Figure 19. Intel Read Timing Diagram Table 35: Read Timing Chara" />
參數(shù)資料
型號(hào)： IDT82V3280PFG8
廠商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù)： 120/171頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PLL WAN SE STRATUM 2 100-TQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 750
類型： 時(shí)鐘/頻率發(fā)生器，多路復(fù)用器
PLL： 是
主要目的： 以太網(wǎng)，SONET/SDH，Stratum
輸入： CMOS，LVDS，PECL
輸出： CMOS，LVDS，PECL
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 14:9
差分 - 輸入:輸出： 是/是
頻率 - 最大： 622.08MHz
電源電壓： 3 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 100-LQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-TQFP（14x14）
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： 82V3280PFG8
IDT82V3280
WAN PLL
Microprocessor Interface
52
December 9, 2008
5.3
INTEL MODE
Figure 19. Intel Read Timing Diagram
Table 35: Read Timing Characteristics in Intel Mode
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
T
One cycle time of the master clock
12.86
ns
tin
Delay of input pad
5
ns
tout
Delay of output pad
5
ns
tsu1
Valid address to valid CS setup time
0
ns
tsu2
Valid CS to valid RD setup time
0
ns
td1
Valid RD to valid data delay time
3.5T + 10
ns
td2
Valid CS to valid RDY delay time
13
ns
td4
RD rising edge to AD[7:0] high impedance delay time
10
ns
td5
RD rising edge to RDY low delay time
13
ns
td6
CS rising edge to RDY release delay time
13
ns
tpw1
Valid RD pulse width low
4.5T + 10 *
ns
tpw2
Valid RDY pulse width low
4.5T + 10
ns
th1
Valid address after RD rising edge hold time
0
ns
th2
Valid CS after RD rising edge hold time
0
ns
th3
Valid RD after RDY rising edge hold time
0
ns
tTI
Time between consecutive Read-Read or Read-Write accesses
(RD rising edge to RD falling edge, or RD rising edge to WR falling edge)
>T
ns
Note:
*
Timing with RDY. If RDY is not used, tpw1 is 3.5T + 10.
CS
WR
AD[7:0]
RDY
A[6:0]
address
High-Z
tsu1
th1
td4
td1
td2
td5
tsu2
tpw1
th2
RD
data
th3
tpw2
td6
High-Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MS3127E20-41P CONN RCPT 41POS BOX MNT W/PINS
IDT82V3280DQG8 IC PLL WAN SE STRATUM 2 100-TQFP
VE-B2X-MW-F1 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W
VE-B2R-MW-F4 CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
VE-B2P-MW-F2 CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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