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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S161622E-TC10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 675K |
| 代理商： | K4S161622E-TC10 |
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K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Address
A
1
Sequential
Interleave
A
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2
3
0
1
3
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0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial Address
A
1
Sequential
Interleave
0
0
0
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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