參數(shù)資料
型號(hào)： K4S161622E-TC10
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 34/42頁(yè)
文件大?。?/td> 675K
代理商： K4S161622E-TC10
CMOS SDRAM
0
1
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3
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6
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8
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16
17
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19
K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
* Any command to A-bank is not allowed in this period.
tRP is determined from at auto precharge start point
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Ra
Ca
Ra
Cb
Rb
Rb
*
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80 1M x 16 SDRAM
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S161622E-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622ETC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW
K4S161622E-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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