參數(shù)資料
型號: K4S161622E-TC10
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 1M x 16 SDRAM
中文描述: 100萬× 16內(nèi)存
文件頁數(shù): 25/42頁
文件大?。?/td> 675K
代理商: K4S161622E-TC10
CMOS SDRAM
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K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Single Bit Read-Write-Read Cycle(Same Page) @CAS Latency=3, Burst Length=1
: Don't care
tRCD
*Note 1
tSS
tSH
tRP
tCCD
tSS
*Note 2
tSH
tRAC
tSAC
tSLZ
tOH
tSH
tSS
tSS
tSH
tSS
tSH
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
A
10
/AP
DQ
WE
DQM
Row Active
Read
Write
Read
Row Active
Precharge
tCH
tCC
tCL
tRAS
tRC
HIGH
tSH
tSH
tSS
tSS
*Note 2,3
BS
*Note 2,3 *Note 4
BS
*Note 4
*Note 3
*Note 3
*Note 3
Rb
Cc
Cb
Ca
Ra
BS
BS
BS
BS
Ra
Rb
Qc
Db
Qa
*Note 2,3
*Note 2
tSS
tSH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80 1M x 16 SDRAM
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
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參數(shù)描述
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K4S161622ETC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW
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