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參數(shù)資料
| 型號： | K4S161622E-TC10 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 41/42頁 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | K4S161622E-TC10 |
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CMOS SDRAM
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K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
tRC
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* Both banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
～
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC55 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC60 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC80 | 1M x 16 SDRAM |
| K4S161622H | 16Mb H-die SDRAM Specification |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S161622E-TC55 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622ETC60 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW |
| K4S161622E-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM |
| K4S161622E-TC70000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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