參數(shù)資料
型號(hào)： K4S161622E-TC10
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 19/42頁(yè)
文件大小： 675K
代理商： K4S161622E-TC10
K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
*Note :
1. t
RDL
: 1 CLK
2. t
BDL
: 1 CLK ; Last data in to burst stop delay.
Read or write burst stop command is valid at every burst length.
3. Number of valid output data after row precharge or burst stop : 1, 2 for CAS latency= 2, 3 respectiviely.
4. PRE : Both banks precharge if necessary.
MRS can be issued only at both banks precharge state.
8. Burst Stop & Interrupted by Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL Note 1
3) Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1
2
Note 3
9. MRS
CLK
PRE
1) Mode Register Set
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
STOP
D
3
2) Write Burst Stop (BL=8)
DQM
4) Read Burst Stop (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
STOP
Q
0
Q
1
Q
0
Q
1
1
2
Note 3
MRS
ACT
Note 4
tRP
tMRS = 2CLK
CMD
DQM
tBDL Note 2
D
4
D
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80 1M x 16 SDRAM
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4S161622E-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622ETC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW
K4S161622E-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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