參數(shù)資料
型號： K4S161622E-TC10
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬× 16內(nèi)存
文件頁數(shù)： 28/42頁
文件大?。?/td> 675K
代理商： K4S161622E-TC10
CMOS SDRAM
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K4S161622E
Rev 0.2 Oct. '02
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency - 1] number of valid output data
is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(t
SHZ
) after the clcok.
3. Access time from Row active command. t
CC
*(t
RCD
+ CAS latency - 1) + t
SAC
4. Ouput will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst wrap-around).
Read
(A-Bank)
*Note 1
tRC
tRCD
*Note 2
tRDL
tRDL
tSHZ
*Note 4
tSHZ
*Note 4
tOH
tRAC
*Note 3
tSAC
tSAC
tRAC
*Note 3
tOH
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
Ra
Rb
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Db0
Db1
Db2
Db3
Ra
Ca0
Rb
Cb0
WE
DQM
相關PDF資料
PDF描述
K4S161622E-TC55 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC60 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC80 1M x 16 SDRAM
K4S161622H 16Mb H-die SDRAM Specification
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
K4S161622E-TC55 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622ETC60 制造商:SAMSUNG 功能描述:NEW
K4S161622E-TC60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16 SDRAM
K4S161622E-TC70000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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