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參數(shù)資料
| 型號： | K7R163684B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 10/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | K7R163684B |
- 18 -
Rev 3.1
July. 2004
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM
K7R163684B
K7R161884B
165 FBGA PACKAGE DIMENSIONS
Side View
13mm x 15mm Body, 1.0mm Bump Pitch, 11x15 Ball Array
Bottom View
Top View
Symbol
Value
Units
Note
Symbol
Value
Units
Note
A
13
± 0.1
mm
E
1.0
mm
B
15
± 0.1
mm
F
14.0
mm
C
1.3
± 0.1
mm
G
10.0
mm
D
0.35
± 0.05
mm
H
0.5
± 0.05
mm
C
F
B
H
G
A
B
A
D
E
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7R323682 | 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K971 | 85.05 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| K972 | 85.05 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| K973 | 85.05 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| KBJ402G | 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7R163684B_06 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R163684B-FC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R163684B-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R163684B-FC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA |
| K7R163684B-FC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
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