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參數(shù)資料
| 型號： | K7R163684B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| 中文描述： | 512Kx36 |
| 文件頁數(shù)： | 9/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | K7R163684B |
- 17 -
Rev 3.1
July. 2004
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM
K7R163684B
K7R161884B
JTAG DC OPERATING CONDITIONS
Note: 1. The input level of SRAM pin is to follow the SRAM DC specification
.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
VDD
1.7
1.8
1.9
V
Input High Level
VIH
1.3
-
VDD+0.3
V
Input Low Level
VIL
-0.3
-
0.5
V
Output High Voltage(IOH=-2mA)
VOH
1.4
-
VDD
V
Output Low Voltage(IOL=2mA)
VOL
VSS
-0.4
V
JTAG TIMING DIAGRAM
JTAG AC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
TCK Cycle Time
tCHCH
50
-
ns
TCK High Pulse Width
tCHCL
20
-
ns
TCK Low Pulse Width
tCLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
tMVCH
5-
ns
TMS Input Hold Time
tCHMX
5-
ns
TDI Input Setup Time
tDVCH
5-
ns
TDI Input Hold Time
tCHDX
5-
ns
SRAM Input Setup Time
tSVCH
5-
ns
SRAM Input Hold Time
tCHSX
5-
ns
Clock Low to Output Valid
tCLQV
010
ns
JTAG AC TEST CONDITIONS
Note: 1. See SRAM AC test output load on page 11.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High/Low Level
VIH/VIL
1.8/0.0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
0.9
V
1
TCK
TMS
TDI
PI
tCHCH
tMVCH
tCHMX
tCHCL
tCLCH
tDVCH
tCHDX
tCLQV
TDO
(SRAM)
tSVCH
tCHSX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K7R323682 | 1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDRTM II b2 SRAM |
| K971 | 85.05 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| K972 | 85.05 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| K973 | 85.05 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| KBJ402G | 4 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K7R163684B_06 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM |
| K7R163684B-FC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R163684B-FC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
| K7R163684B-FC20000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA |
| K7R163684B-FC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM |
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