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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K8D6316UBM-YC08 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory |
| 中文描述： | 6400位（800萬(wàn)x8/4M x16）的雙銀行NOR閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 45/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K8D6316UBM-YC08 |
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NOR FLASH MEMORY
K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
Revision 1.6
September, 2006
45
Block Group Protect & Unprotect Operations
SWITCHING WAVEFORMS
CE
Temporary Block Group Unprotect
Program or Erase Command Sequence
RESET
WE
t
RSP
RY/BY
t
VID
V
ID
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
t
RRB
t
VID
BGA,A6
A1,A0
RESET
CE
WE
DATA
OE
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
60H
60H
40H
Status*
Block Group Protect / Unprotect
Verify
1
μ
s
Block Group Protect:150
μ
s
Block Group UnProtect:15ms
Notes :
Block Group Protect (A6=
V
IL
, A1=
V
IH
, A0=
V
IL
) , Status=01H
Block Group Unprotect (A6=
V
IH
, A1=
V
IH
,
A0=
V
IL
) , Status=00H
BGA = Block Group Address (A12 ~ A21)
RY/BY
V
ID
Valid
Valid
Valid
t
BUSY
t
RB
V
ss
,V
IL
,
or V
IH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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