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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1208D0B-Y |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 6400 × 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | K9F1208D0B-Y |
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FLASH MEMORY
23
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
t
CHZ
t
OH
Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
X
70h
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
OH
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
READ1 OPERATION
(READ ONE PAGE)
X8 device : m = 528 , Read CMD = 00h or 01h
X16 device : m = 264 , Read CMD = 00h
1)
NOTES
: 1) is only valid on K9F1208U0B-Y,P or K9F1208U0B-V,F
On K9F1208U0B-Y,P or K9F1208U0B-V,F
CE must be held
low during tR
CE
CLE
R/B
I/O
X
WE
ALE
RE
Busy
≈
00h or 01h A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
AR
t
R
≈
t
RC
t
RHZ
t
OH
t
RR
Dout m
t
RB
t
CRY
t
WC
≈
≈
≈
A
25
t
CEH
1)
N Address
t
CHZ
t
RHZ
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1208U0B-D | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-V | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B-Y | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208U0B | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk |
| K9F1208Q0B | 64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1208Q0A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0A-XXB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1208Q0B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1208Q0B-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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