參數(shù)資料
型號： K9F1208D0B-Y
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述： 6400 × 8位NAND閃存
文件頁數(shù)： 32/45頁
文件大小： 767K
代理商： K9F1208D0B-Y
FLASH MEMORY
32
K9F1208U0B
K9F1208D0B
Advance
Figure 7. Read1 Operation
Start Add.(4Cycle)
00h
Data Output(Sequential)
CE
CLE
ALE
R/B
WE
I/O
0
~
7
RE
t
R
On K9F1208U0B-Y,P or K9F1208U0B-V,F
CE must be held low during tR
A
0
~ A
7
& A
9
~ A
25
(00h Command)
Data Field
Spare Field
Main array
(01h Command)
Data Field
Spare Field
1st half array
2st half array
NOTE
: 1) After data access on 2nd half array by 01h command, the start pointer is automatically moved to 1st half
array (00h) at next cycle. 01h command is only available on X8 device(K9F1208X0B).
1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1208U0B-D 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
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K9F1208U0B-Y 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F1208U0B Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x40 mm; Packaging: Bulk
K9F1208Q0B 64M x 8 Bit NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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