參數(shù)資料
型號： KFG1216U2A-FID6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 102/114頁
文件大?。?/td> 1382K
代理商： KFG1216U2A-FID6
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
102
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
ECD = Erase Command
EMA = Address of memory to be erased
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Erase Command Sequence (last two cycles)
A0:A15
WE
CE
t
DS
t
DH
t
CH
CA
SA
SA
In
Progress
Complete
ECD
EMA
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Status Data
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
CLK
V
IL
≈
≈
≈
≈
t
AH
t
AWES
t
BERS
INT
t
CH
t
CS
6.10 Block Erase Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G1612M-DEB5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G1612M-DED5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW4G16U2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW4G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G1612M-DEB5 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
KFG1216U2B-DIB6 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG1216U2M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1216U2M-DIB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
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