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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216U2A-FID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 33/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216U2A-FID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
33
This Read register describes the device.
F001h, see table for default.
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5
4
3
2
1
0
DeviceID
Device Identification
Device ID Default
Device Identification
Description
DeviceID [1:0] Vcc
00 = 1.8V, 01 = 2.65V/3.3V, 10/11 = reserved
DeviceID [2] Muxed/Demuxed
0 = Muxed, 1 = Demuxed
DeviceID [3] Single/DPP
0 = Single, 1 = DDP
DeviceID [6:4] Density
000 = 128Mb, 001 = 256Mb, 010 = 512Mb, 011 = 1Gb, 100 = 2Gb
Device
DeviceID[15:0]
KFG1216Q2A
0024h
KFG1216D2A
0025h
KFG1216U2A
0025h
2.8.3 Device ID Register F001h (R)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G1612M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216U2B-DIB6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1216U2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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