參數(shù)資料
型號： KFG1216U2A-FID6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 98/114頁
文件大?。?/td> 1382K
代理商： KFG1216U2A-FID6
OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
98
6.6 Asynchronous Read
(AVD is tied to CE)
See AC Characteristics Table 5.5
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
AVD
t
AAVDS
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
WEA
t
CEZ
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
t
ACC
CLK
V
IL
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
RC
DQ0-DQ15
t
CEZ
6.5 Asynchronous Read
(VA and AVD Transition After CE Low)
See AC Characteristics Table 5.5
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PDF描述
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KFW4G16U2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW4G16U2M-DID6 FLASH MEMORY(54MHz)
KFW1G1612M-DEB5 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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KFG1216U2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
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