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參數資料
| 型號： | KFG1216U2A-FID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 37/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216U2A-FID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
37
This Read/Write register describes the NAND Flash destination block address which will be copy back programmed.
F102h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(000000)
FCBA
Device
Number of Block
FBA
512Mb
512
FCBA[8:0]
Start Address3 Information
Register Information
Description
FCBA
NAND Flash Copy Back Block Address
2.8.12 Start Address4 Register F103h (R/W)
This Read/Write register describes the NAND Flash destination page address in a block and the NAND Flash destination sector
address in a page for copy back programming.
F103h, default = 0000h
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Reserved(00000000)
FCPA
FCSA
Start Address4 Information
Item
Description
Default Value
Range
FCPA
NAND Flash Copy Back Page
Address
000000
000000 ~ 111111,
6 bits for 64 pages
FCSA
NAND Flash Copy Back Sector
Address
00
00 ~ 11,
2 bits for 4 sectors
2.8.11 Start Address3 Register F102h (R/W)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G1612M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1216U2B-DIB6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1216U2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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