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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1216U2A-FID6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 108/114頁 |
| 文件大?。?/td> | 1382K |
| 代理商： | KFG1216U2A-FID6 |
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OneNAND512(KFG1216x2A-xxB5)
FLASH MEMORY
108
Synchronous Mode Using the INT Pin
When operating synchronously, INT is tied directly to a Host GPIO.
An alternate method of determining the end of an operation is to continuously monitor the Interrupt Status Register Bit instead of
using the INT pin.
Host
OneNAND
Asynchronous Mode Using the INT Pin
When configured to operate in an asynchronous mode, /CE and /AVD of the OneNAND are tied to /CE of the Host. CLK is tied to the
Host Vss (Ground). /RDY is tied to a no-connect. /OE of the OneNAND and Host are tied together and INT is tied to a GPIO.
RDY
OE
CLK
CE
RDY
OE
CLK
CE
AVD
AVD
GPIO
INT
Host
OneNAND
N.C
OE
Vss
CE
RDY
OE
CLK
CE
AVD
GPIO
INT
INT
Command
This can be configured in either a synchronous mode or an asynchronous mode.
7.1.2 Polling the Interrupt Register Status Bit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G1612M-DEB5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G1612M-DED5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW4G16U2M-DID6 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFW1G1612M-DEB5 | Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:223; Conductor Size AWG:19; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Categories:UL AWM Style 1354; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-C-17G; Conductor Material:Copper RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1216U2B-DIB6 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFG1216U2M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1216U2M-DIB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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