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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 111/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DEB |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
111
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
PCD = Program Command
PMA = Address of memory to be programmed
BA = Address of BufferRAM to load the data
BD = Program Data
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
Program Command Sequence (last two cycles)
A0:A15
WE
CE
CLK
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
SA
SA
In
Progress
Complete
AA
DQ0-DQ15
OE
Read Status Data
V
IL
≈
≈
≈
≈
BA
CA
PCD
PMA
BD
t
AH
t
AWES
t
PGM
INT
t
CH
t
CH
t
CS
t
CS
6.9 Program Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1G16Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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