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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1G16Q2M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 80/125頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DEB |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
80
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
The Copy-Back steps shown in the flow chart are:
Data is read from the NAND Array using Flash Block Address (FBA), Flash Page Address (FPA) and
Flash Sector Address (FSA). FBA, FPA, and FSA identify the source address to read data from NAND Flash array.
The BufferRAM Sector Count (BSC) and BufferRAM Sector Address (BSA) identifies how many sectors
and the location of the sectors in DataRAM that are used.
The destination address in the NAND Array is written using the Flash Copy-Back Block Address (FCBA),
Flash Copy-Back Page Address (FCPA), and Flash Copy-Back Sector Address (FCSA).
The Copy-Back Program command is issued to start programming.
Upon completion of copy-back programming to the destination page address, the Host checks the status
to see if the operation was successfully completed. If there was an error, map out the block including the
page in error and copy the target data to another block.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KFG1G16Q2M-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1G16Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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