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參數資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DEB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數： | 84/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DEB |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
84
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
After a Multi-Block Erase Operation, verify Erase Operation result of each block with Multi-Block Erase Verify Command combined
with address of each block.
If a failed address is identified, it must be managed in firmware.
Multi Block Erase/ Multi Block Erase Verify Read Flow Chart
Start
Write ’DFS
1)
’, ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS, FBA
Write ’Multi Block Erase’
Command
Add: F220h DQ=0095h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Final Multi Block
Erase
YES
NO
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Block Erase
Command’
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Multi Block Erase Verify Read
Write ’FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=FBA
Write ’Multi Block Erase
Verify Read Command’
Add: F220h DQ=0071h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Read Controller
Status Register
Add: F240h DQ[10]=Error
DQ[10]=0
Multi Block Erase completed
Final Multi Block
Erase Address
YES
NO
Erase completed
YES
Erase Error
NO
*DFS is for DDP
Note 1) DFS should be a fixed value, for Multi Block Erase is performed within a single chip.
3.10.3 Multi-Block Erase Verify Read Operation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DIB | FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB5000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz) |
| KFG1G16Q2M-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays |
| KFG1G16Q2M-DED | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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