參數資料
型號: KFG1G16Q2M-DEB
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: FLASH MEMORY
中文描述: 閃存
文件頁數: 18/125頁
文件大?。?/td> 1632K
代理商: KFG1G16Q2M-DEB
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
18
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
External Memory Array Organization
BootRAM 0
BootRAM 1
BootRAM
DataRAM 1_0
DataRAM 1_1
DataRAM 1_2
DataRAM 1_3
DataRAM1
{
Main area data
(512B)
Spare area data
DataRAM 0_0
DataRAM 0_1
DataRAM 0_2
DataRAM 0_3
DataRAM0
Sector: (512 + 16) Byte
(16B)
相關PDF資料
PDF描述
KFG1G16Q2M-DED FLASH MEMORY
KFG1G16Q2M-DIB FLASH MEMORY
KFG1G16Q2M-DID FLASH MEMORY
KFG2816D1M-PID OneNAND SPECIFICATION
KFG2816U1M-DEB OneNAND SPECIFICATION
相關代理商/技術參數
參數描述
KFG1G16Q2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2M-DEB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays
KFG1G16Q2M-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(66MHz)
KFG1G16Q2M-DEB6000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB DE-MUXED SLC W/ X16 FBGA - Trays
KFG1G16Q2M-DED 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY