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參數(shù)資料
| 型號： | KFG1G16Q2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 106/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DIB |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
106
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
6.1 8-Word Linear Burst Mode with Wrap Around
See AC Characteristics Table 5.4
5 cycles for initial access shown.
6.2 Continuous Linear Burst Mode with Wrap Around
See AC Characteristics Table 5.4
t
CES
t
AVDS
t
AVDH
t
ACS
t
ACH
t
IAA
t
BA
t
BDH
t
CLK
CE
CLK
AVD
OE
DQ0-DQ15
A0-A15
≈
≈
≈
≈
≈
D6
D7
D0
D1
D2
D3
D7
t
RDYA
t
OE
BRL=4
t
CEZ
t
OEZ
D0
t
CLKH
t
CLKL
t
RDYO
t
CER
Hi-Z
RDY
≈
t
RDYS
Hi-Z
5 cycles for initial access shown.
BRL=4
t
CES
t
AVDS
t
AVDH
t
ACS
t
ACH
t
IAA
t
BA
t
BDH
t
CLK
Hi-Z
CE
CLK
AVD
OE
DQ0-DQ15
RDY
A0-A15
≈
≈
≈
≈
≈
t
RDYS
Da
Da+1
Da+2
Da+3
Da+4
Da+5
Da+n
t
RDYA
t
OE
t
CEZ
t
OEZ
Da+n+1
Hi-Z
t
RDYO
t
CER
6.0 TIMING DIAGRAMS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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