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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFG1G16Q2M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 121/125頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | KFG1G16Q2M-DIB |
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OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
121
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
~50k ohm
INT
Vcc and Vccq
Rp
INT pol = ’Low’
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
KFG1G16Q2M @ Vcc = 1.8V, T
A
= 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.067
tr[ns]
0.586
1.02
1.356
6.49
6.49
6.49
6.49
1.75
0.18
0.09
40K
50K
1.623
1.84
6.49
6.49
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.05
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
Busy State
Ready
V
OH
tf
tr
V
OL
Vss
Vcc
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
KFW4G16Q2M @ Vcc = 1.8V, T
A
= 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.176
1.117
1.596
1.865
7.88
7.88
7.88
7.88
1.77
0.18
0.09
40K
50K
2.038
2.159
7.88
7.88
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
4.452
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
t
I
Rp(ohm)
Ibusy
tf[us]
KFH2G16Q2M @ Vcc = 1.8V, T
A
= 25
°
C , C
L
= 30pF
1K
10K
20K
30K
0.122
tr[ns]
0.944
1.507
1.883
10.73
10.73
10.73
10.73
1.75
0.18
0.09
40K
50K
2.153
2.356
10.73
10.73
0.045
0.06
0.036
Open(100K)
2.912
0.000
≈
≈
≈
≈
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFG2816D1M-PID | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DEB | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DED | OneNAND SPECIFICATION |
| KFG2816U1M-DIB | OneNAND SPECIFICATION |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFG1G16Q2M-DIB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DIB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFG1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFG1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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