參數(shù)資料
型號： KFG1G16Q2M-DIB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁數(shù)： 4/125頁
文件大?。?/td> 1632K
代理商： KFG1G16Q2M-DIB
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FLASH MEMORY
4
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
Revision History
Revision No.
1.0
1.1
Remark
Final
Final
Draft Date
May. 17, 2005
Aug. 26, 2005
History
1. Corrected the errata
2. Added DFS restriction to Multi Block Erase.
3. Added Data Protection flow chart.
4. Removed Cache Read Operation.
5. Added additional information on command register.
6. Revised Interrupt status register information.
7. Added INT pin schematic.
8. Changed tPGM1 to 205 from 320us, tPGM2 to 220 from 350us.
9. Revised ECC Bypass description
10. Revised AC/DC parameters
11. Revised Reset Parameters and Timing Diagrams.
1. Corrected the errata
2. Deleted 2.65V/3.3V Device Descriptions.
3. Revised Data Protection Flow Chart.
4. Revised Invalid Block Table Creation Flow Chart.
5. Revised Multi Block Erase Description
6. Revised Reset Mode Operation.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG1G16Q2M-DID FLASH MEMORY
KFG2816D1M-PID OneNAND SPECIFICATION
KFG2816U1M-DEB OneNAND SPECIFICATION
KFG2816U1M-DED OneNAND SPECIFICATION
KFG2816U1M-DIB OneNAND SPECIFICATION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KFG1G16Q2M-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2M-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFG1G16Q2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFG1G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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