參數(shù)資料
型號： KSD1621
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Driver Applications
中文描述： 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： KSD1621
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A2, November 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter On Voltage
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
B
= 50mA
I
B
= 2mA
I
B
= 10mA
I
B
= 30mA
I
B
= 8mA
I
B
= 6mA
I
B
= 4mA
I
B
= 20mA
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
V
CE
= 2V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
I
E
=0
f = 1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
100
1000
V
CE
= 10V
f
T
[
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
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KSD1621RTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KSD1621STF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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