參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1621
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Current Driver Applications
中文描述： 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： KSD1621
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A2, November 2002
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
T
=25
Single Pulse
Mounted on Ceramic Board
(250mm
o
C
2
×
0.8mm)
1s
I
C
MAX. (DC)
100m
10m
I
C
MAX. (Pulse)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
50
100
150
200
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
No Heat Sink
MounedonCeamcBoad(50mm
2
×
08mm
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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KSD1621RTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621STF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1621STF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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