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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F020SU-N |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | 2M (256K 】 8) Flash Memory |
| 中文描述： | 200萬（256K】8）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 245K |
| 代理商： | LH28F020SU-N |
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2M (256K × 8) Flash Memory
LH28F020SU-L
25
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MIN.
MAX.
UNITS
NOTE
t
AVAV
Write Cycle Time
150
ns
t
VPWH
V
PP
Set up to WE Going High
100
ns
3
t
ELWL
CE
Setup to WE Going Low
10
ns
t
AVWH
Address Setup to WE Going High
110
ns
2, 6
t
DVWH
Data Setup to WE Going High
110
ns
2, 6
t
WLWH
WE Pulse Width
110
ns
t
WHDX
Data Hold from WE High
10
ns
2
t
WHAX
Address Hold from WE High
10
ns
2
t
WHEH
CE
Hold from WE High
10
ns
t
WHWL
WE Pulse Width High
75
ns
t
GHWL
Read Recovery before Write
0
ns
t
WHGL
Write Recovery before Read
120
ns
t
QVVL
t
WHQV1
t
WHQV2
V
PP
Hold from Valid Status Register Data
0
μs
Duration of Byte Write Operation
20
8
μs
4, 5
Duration of Block Erase Operation
0.3
s
4
AC Characteristics for WE
- Controlled Command Write Operations
1
V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, T
A
= 0°C to +70°C
NOTES:
1. Read timing during write and erase are the same as for normal read.
2. Refer to command definition tables for valid address and data values.
3. Sampled, but not 100% tested.
4. Write/Erase durations are measured to valid Status Register (CSR) Data.
5. Byte write operations are typically performed with 1 Programming Pulse.
6. Address and Data are latched on the rising edge of WE
for all Command Write operations.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F040SUTD-Z4 | 4M (512K 】 8) Flash Memory |
| LH28F160BHE-TTL90 | 16M (x8/x16) Flash Memory |
| LH28F160BJE-BTL90 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BJE-TTL70 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
| LH28F160BJHE-BTL70 | 16M-BIT(1Mbit x16/2Mbit x8)Boot Block Flash MEMORY(16M位(1M位 x16/2M位 x8)Boot Block 閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F020SUN-L12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| LH28F032SUTD-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM Module |
| LH28F040SUTD-Z4 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8) Flash Memory |
| LH28F0I6SCT-L95 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| LH28F128BFHT-PBTL75A | 功能描述:閃存 128Mb (x16)3V OTP Single Supply RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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